IGBT مخفف عبارت انگلیسی Insulated Gate Bipolar Transistor با معنای تحتاللفظی «ترانزیستور دوقطبی با گیت عایقشده» است. در زبان فارسی ترانزیستور دوقطبی IGBT برای معرفی این تکنولوژی، متداولتر هستند.این ترانزیستور دوقطبی، قطعهای نیمهرسانا و متشکل از سه ترمینال بوده و عملکردی بین ترانزیستور پیوندی دوقطبی (BJT) و ترانزیستور اثر میدان (MOSFET) دارد. امپدانس ورودی بزرگ و سرعت بالای سوئیچینگ در ماسفت و ولتاژ اشباع پایین BJT در ترانزیستور IGBT با هم ترکیب شدهاند که حاصل آن، قابلیت عملکرد در مقادیر بالای جریان کلکتور-امیتر با ولتاژ گیت تقریبی صفر است.
ورود
جستجو
خانه
سبد خرید
واتساپ